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RGP20DHE3/54

RGP20DHE3/54

僅供參考

型號 RGP20DHE3/54
PNEDA編號 RGP20DHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A GP20
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGP20DHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGP20DHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RGP20DHE3/54, RGP20DHE3/54數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.74 KB)
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RGP20DHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝GP20
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 2A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

167pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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10000A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

300mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2500V

電容@ Vr,F

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