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RGT30NL65DGTL

RGT30NL65DGTL

僅供參考

型號 RGT30NL65DGTL
PNEDA編號 RGT30NL65DGTL
描述 FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT30NL65DGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT30NL65DGTL
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT30NL65DGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 15A
功率-最大133W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用32nC
25°C時的Td(開/關)18ns/64ns
測試條件400V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)55ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝LPDS

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150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

280W

開關能量

1.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/110ns

測試條件

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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12A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 35A

功率-最大

273W

開關能量

1.3mJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/105ns

測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

150ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

536W

開關能量

610µJ (on), 1.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/157ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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