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RGTH50TS65DGC11

RGTH50TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH50TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH50TS65DGC11
描述 IGBT 650V 50A 174W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH50TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH50TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH50TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大174W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)27ns/94ns
測試條件400V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 10A

功率-最大

110W

開關能量

430µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/215ns

測試條件

400V, 10A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

PG-TO263-3-2

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制造商

Infineon Technologies

系列

TrenchStop®

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/183ns

測試條件

400V, 15A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

110ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

功率-最大

460W

開關能量

1.5mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

168nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/138ns

測試條件

480V, 50A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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