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RGTH50TS65DGC11

RGTH50TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH50TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH50TS65DGC11
描述 IGBT 650V 50A 174W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH50TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH50TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH50TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大174W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)27ns/94ns
測試條件400V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 2A

功率-最大

30W

開關能量

64µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/259ns

測試條件

400V, 2A, 118Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1350V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 20A

功率-最大

288W

開關能量

950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

-/235ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

TrenchStop®

IGBT類型

NPT, Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 10A

功率-最大

110W

開關能量

430µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/215ns

測試條件

400V, 10A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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