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RGTH50TS65GC11

RGTH50TS65GC11

僅供參考

型號 RGTH50TS65GC11
PNEDA編號 RGTH50TS65GC11
描述 IGBT 650V 50A 174W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH50TS65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH50TS65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH50TS65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大174W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)27ns/94ns
測試條件400V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 20A

功率-最大

288W

開關能量

750µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

-/260ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

8V @ 4.5V, 150A

功率-最大

45W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 40A

功率-最大

1500W

開關能量

11.7mJ (on), 6.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

270nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

1250V, 40A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 150A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

820nC

25°C時的Td(開/關)

115ns/570ns

測試條件

600V, 150A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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