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RJK4002DPD-00#J2

RJK4002DPD-00#J2

僅供參考

型號 RJK4002DPD-00#J2
PNEDA編號 RJK4002DPD-00-J2
描述 MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK4002DPD-00#J2資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK4002DPD-00#J2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK4002DPD-00#J2規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds165pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝MP-3A
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Renesas Electronics America

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47.1nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

928pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

134W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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