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RRH100P03TB1

RRH100P03TB1

僅供參考

型號 RRH100P03TB1
PNEDA編號 RRH100P03TB1
描述 MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 24 - 十二月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RRH100P03TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RRH100P03TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RRH100P03TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3600pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)650mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A (Ta), 400A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.73mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15200pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.75V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

660nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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