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RSS040P03FU6TB

RSS040P03FU6TB

僅供參考

型號 RSS040P03FU6TB
PNEDA編號 RSS040P03FU6TB
描述 MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RSS040P03FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RSS040P03FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RSS040P03FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3346pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-220AB

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 138W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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1.5W (Ta), 28.8W (Tj)

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