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S15KC R7G

S15KC R7G

僅供參考

型號 S15KC R7G
PNEDA編號 S15KC-R7G
描述 DIODE GEN PURP 800V 15A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S15KC R7G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S15KC R7G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S15KC R7G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 800V
電容@ Vr,F93pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6.5mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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