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S26KS128SDGBHV030

S26KS128SDGBHV030

僅供參考

型號 S26KS128SDGBHV030
PNEDA編號 S26KS128SDGBHV030
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S26KS128SDGBHV030資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S26KS128SDGBHV030
類別半導體內存IC內存

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S26KS128SDGBHV030規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列HyperFlash™ KS
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間96ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP II

CY14MB256J1-SXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

3.4MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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