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S27KS0641DPBHI020

S27KS0641DPBHI020

僅供參考

型號 S27KS0641DPBHI020
PNEDA編號 S27KS0641DPBHI020
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S27KS0641DPBHI020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S27KS0641DPBHI020
類別半導體內存IC內存

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S27KS0641DPBHI020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列HyperRAM™ KS
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (8M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間40ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

54-VFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

40µs, 1.2ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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