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S29GL01GT13DHNV10

S29GL01GT13DHNV10

僅供參考

型號 S29GL01GT13DHNV10
PNEDA編號 S29GL01GT13DHNV10
描述 IC FLASH 1G PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL01GT13DHNV10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL01GT13DHNV10
類別半導體內存IC內存

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S29GL01GT13DHNV10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-T
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間130ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

50ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-TFBGA (6x8)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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