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S29GL512S11DHI020

S29GL512S11DHI020

僅供參考

型號 S29GL512S11DHI020
PNEDA編號 S29GL512S11DHI020
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512S11DHI020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512S11DHI020
類別半導體內存IC內存

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S29GL512S11DHI020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

288Mb (8M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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