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S34SL04G200BHI003

S34SL04G200BHI003

僅供參考

型號 S34SL04G200BHI003
PNEDA編號 S34SL04G200BHI003_33
描述 IC FLASH 4G PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34SL04G200BHI003資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34SL04G200BHI003
類別半導體內存IC內存

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S34SL04G200BHI003規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列SL-2
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-BGA (11x9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

3Tb (384G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

40-VSOP

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