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S3GHE3_A/I

S3GHE3_A/I

僅供參考

型號 S3GHE3_A/I
PNEDA編號 S3GHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 26,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3GHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3GHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S3GHE3_A/I, S3GHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.81 KB)
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S3GHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Mini MELF

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

180pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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