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S8-4150E3/TR13

S8-4150E3/TR13

僅供參考

型號 S8-4150E3/TR13
PNEDA編號 S8-4150E3-TR13
描述 DIODE ARRAY GP 50V 400MA 8SOIC
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S8-4150E3/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S8-4150E3/TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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S8-4150E3/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管配置4 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)400mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

35µA @ 400V

工作溫度-結點

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200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 270A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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