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SE30AFJ-M3/6B

SE30AFJ-M3/6B

僅供參考

型號 SE30AFJ-M3/6B
PNEDA編號 SE30AFJ-M3-6B
描述 DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE30AFJ-M3/6B資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE30AFJ-M3/6B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SE30AFJ-M3/6B規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 100V
電容@ Vr,F19pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221AC, SMA Flat Leads
供應商設備包裝DO-221AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1.7A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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