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SH8K15TB1

SH8K15TB1

僅供參考

型號 SH8K15TB1
PNEDA編號 SH8K15TB1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8K15TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8K15TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8K15TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds630pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

151pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 8A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

564pF @ 15V

功率-最大

4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A, 5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

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