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SI1958DH-T1-E3

SI1958DH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1958DH-T1-E3
PNEDA編號 SI1958DH-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1958DH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1958DH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1958DH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs205mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds105pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.71mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 20V

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