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SI3139KL-TP

SI3139KL-TP

僅供參考

型號 SI3139KL-TP
PNEDA編號 SI3139KL-TP
描述 P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3139KL-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3139KL-TP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI3139KL-TP, SI3139KL-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 589.5 KB)
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SI3139KL-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)680mA
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds170pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)100mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-883
包裝/箱SC-101, SOT-883

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

58W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1921pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 48.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 2.96mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

862W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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