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SI3434-TP

SI3434-TP

僅供參考

型號 SI3434-TP
PNEDA編號 SI3434-TP
描述 MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3434-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3434-TP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI3434-TP, SI3434-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 439.81 KB)
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SI3434-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds245pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38.5A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2870pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

8.3W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

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Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4646pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.4W (Ta), 208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2651pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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48nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

1W (Ta)

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