SI4834BDY-T1-E3
僅供參考
| 型號 | SI4834BDY-T1-E3 |
| PNEDA編號 | SI4834BDY-T1-E3 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,274 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI4834BDY-T1-E3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | SI4834BDY-T1-E3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- SI4834BDY-T1-E3 Datasheet
- where to find SI4834BDY-T1-E3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI4834BDY-T1-E3
- SI4834BDY-T1-E3 PDF Datasheet
- SI4834BDY-T1-E3 Stock
- SI4834BDY-T1-E3 Pinout
- Datasheet SI4834BDY-T1-E3
- SI4834BDY-T1-E3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI4834BDY-T1-E3 Price
- SI4834BDY-T1-E3 Distributor
SI4834BDY-T1-E3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 5.7A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 3V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 功率-最大 | 1.1W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供應商設備包裝 | 8-SO |
您可能感興趣的產品
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 430mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 175pF @ 16V 功率-最大 250mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 SOT-563-6 |
制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 630pF @ 10V 功率-最大 600mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-TSSOP |
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V 功率-最大 1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerVDFN 供應商設備包裝 8-DFN-EP (5x6) |
制造商 Nexperia USA Inc. 系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.75nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 46pF @ 15V 功率-最大 445mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 6-TSSOP |
制造商 Vishay Siliconix 系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 13.5mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2200pF @ 25V 功率-最大 3.9W 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
