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SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4936CDY-T1-E3
PNEDA編號 SI4936CDY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4936CDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4936CDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4936CDY-T1-E3, SI4936CDY-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 184.74 KB)
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SI4936CDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds325pF @ 15V
功率-最大2.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

393pF @ 15V

功率-最大

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 13V

功率-最大

2.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

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