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SI5936DU-T1-GE3

SI5936DU-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5936DU-T1-GE3
PNEDA編號 SI5936DU-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 158,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5936DU-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5936DU-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5936DU-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds320pF @ 15V
功率-最大10.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝PowerPAK® ChipFet Dual

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Vishay Siliconix

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1478pF @ 10V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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