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SI5975DC-T1-E3

SI5975DC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5975DC-T1-E3
PNEDA編號 SI5975DC-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5975DC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5975DC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5975DC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs86mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 1mA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

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