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SIDC09D60E6YX1SA1

SIDC09D60E6YX1SA1

僅供參考

型號 SIDC09D60E6YX1SA1
PNEDA編號 SIDC09D60E6YX1SA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC09D60E6YX1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC09D60E6YX1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SIDC09D60E6YX1SA1, SIDC09D60E6YX1SA1數據表 (總頁數: 4, 大小: 63.96 KB)
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  • SIDC09D60E6YX1SA1 Distributor

SIDC09D60E6YX1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)20A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

180ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

2250pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.38V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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