Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SIHA22N60EF-GE3

SIHA22N60EF-GE3

僅供參考

型號 SIHA22N60EF-GE3
PNEDA編號 SIHA22N60EF-GE3
描述 MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 18 - 二月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHA22N60EF-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHA22N60EF-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHA22N60EF-GE3, SIHA22N60EF-GE3數據表 (總頁數: 8, 大小: 152.36 KB)
PDFSIHA22N60EF-GE3數據表 封面
SIHA22N60EF-GE3數據表 頁面 2 SIHA22N60EF-GE3數據表 頁面 3 SIHA22N60EF-GE3數據表 頁面 4 SIHA22N60EF-GE3數據表 頁面 5 SIHA22N60EF-GE3數據表 頁面 6 SIHA22N60EF-GE3數據表 頁面 7 SIHA22N60EF-GE3數據表 頁面 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • SIHA22N60EF-GE3 Datasheet
  • where to find SIHA22N60EF-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIHA22N60EF-GE3
  • SIHA22N60EF-GE3 PDF Datasheet
  • SIHA22N60EF-GE3 Stock

  • SIHA22N60EF-GE3 Pinout
  • Datasheet SIHA22N60EF-GE3
  • SIHA22N60EF-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIHA22N60EF-GE3 Price
  • SIHA22N60EF-GE3 Distributor

SIHA22N60EF-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列EF
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs182mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs96nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1423pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)33W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

您可能感興趣的產品

IXTK120N25

IXYS

制造商

IXYS

系列

MegaMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

360nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

730W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264 (IXTK)

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

IRF6609

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DIRECTFET™ MT

包裝/箱

DirectFET™ Isometric MT

SI1330EDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70-3

包裝/箱

SC-70, SOT-323

制造商

IXYS

系列

TrenchMV™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

550W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247 (IXTH)

包裝/箱

TO-247-3

SPP20N65C3XKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220-3-1

包裝/箱

TO-220-3

最近成交

IP4220CZ6,125

IP4220CZ6,125

Nexperia

TVS DIODE 5.5V 6TSOP

ADM2481BRWZ

ADM2481BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC

KA7810AETU

KA7810AETU

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 10V 1A TO220-3

P6KE16A

P6KE16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 13.6V 22.5V DO15

AZ1117EH-3.3TRG1

AZ1117EH-3.3TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 3.3V 1A SOT223

AD8622ARZ

AD8622ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

S202T01

S202T01

Sharp Microelectronics

SSR RELAY SPST-NO 2A 80-240V

TSV912IDT

TSV912IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

IXYS

IGBT 3000V 30A 160W TO268

PME271Y447MR30

PME271Y447MR30

KEMET

CAP FILM 4700PF 20% 1KVDC RADIAL

2873000202

2873000202

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE

MB96F673ABPMC-GSE1

MB96F673ABPMC-GSE1

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 96KB FLASH 64LQFP