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SIHF35N60EF-GE3

SIHF35N60EF-GE3

僅供參考

型號 SIHF35N60EF-GE3
PNEDA編號 SIHF35N60EF-GE3
描述 MOSFET N-CH TO-220 FULLPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 12,774
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHF35N60EF-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHF35N60EF-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SIHF35N60EF-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列EF
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs97mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs134nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2568pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 91µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4750pF @ 37.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

465pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5380pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

341W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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136W (Tc)

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