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SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

僅供參考

型號 SIHS36N50D-E3
PNEDA編號 SIHS36N50D-E3
描述 MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 9,684
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHS36N50D-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHS36N50D-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHS36N50D-E3, SIHS36N50D-E3數據表 (總頁數: 8, 大小: 169.84 KB)
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SIHS36N50D-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs125nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3233pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)446W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝SUPER-247™ (TO-274AA)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

550V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 930µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2540pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

192W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4780pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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