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SP8K3TB

SP8K3TB

僅供參考

型號 SP8K3TB
PNEDA編號 SP8K3TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 56,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K3TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K3TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8K3TB, SP8K3TB數據表 (總頁數: 4, 大小: 60.35 KB)
PDFSP8K3FU6TB數據表 封面
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SP8K3TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A, 60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta), 2.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V, 9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V, 420pF @ 15V

功率-最大

840mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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