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SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

僅供參考

型號 SP8M2FU6TB
PNEDA編號 SP8M2FU6TB
描述 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M2FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M2FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8M2FU6TB, SP8M2FU6TB數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.04 KB)
PDFSP8M2FU6TB數據表 封面
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SP8M2FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs83mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

3.1W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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