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SP8M6FRATB

SP8M6FRATB

僅供參考

型號 SP8M6FRATB
PNEDA編號 SP8M6FRATB
描述 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M6FRATB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M6FRATB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SP8M6FRATB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V, 490pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

145mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

功率-最大

3.1W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

365pF @ 10V

功率-最大

1.25W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 8V

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功率-最大

1.25W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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