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SQ3418EV-T1_GE3

SQ3418EV-T1_GE3

僅供參考

型號 SQ3418EV-T1_GE3
PNEDA編號 SQ3418EV-T1_GE3
描述 MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQ3418EV-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQ3418EV-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SQ3418EV-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds678pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5635pF @ 25V

FET功能

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320mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

260mW (Ta), 830mW (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

660mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

615pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

62.5W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

530mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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47W (Tc)

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