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SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJ500AEP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJ500AEP-T1_GE3
描述 MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 24,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ500AEP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ500AEP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SQJ500AEP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1850pF @ 20V
功率-最大48W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

121mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

145mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.2pF @ 3V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

168A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 50mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

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