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SQJ500EPTR

SQJ500EPTR

僅供參考

型號 SQJ500EPTR
PNEDA編號 SQJ500EPTR
描述 MOSFET N/P-CH 40V DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,956
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 28 - 二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ500EPTR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ500EPTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SQJ500EPTR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 25V

功率-最大

34W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

功率-最大

650mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7A , 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

2.5W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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