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SS25LHM2G

SS25LHM2G

僅供參考

型號 SS25LHM2G
PNEDA編號 SS25LHM2G
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS25LHM2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS25LHM2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SS25LHM2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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