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SSM3J09FU,LF

SSM3J09FU,LF

僅供參考

型號 SSM3J09FU,LF
PNEDA編號 SSM3J09FU-LF
描述 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 53,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J09FU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J09FU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J09FU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

884pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9250pF @ 25V

FET功能

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