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SSM6N16FE,L3F

SSM6N16FE,L3F

僅供參考

型號 SSM6N16FE,L3F
PNEDA編號 SSM6N16FE-L3F
描述 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 73,368
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N16FE資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N16FE,L3F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N16FE規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9.3pF @ 3V
功率-最大150mW (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.6A (Ta), 70A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 25V

功率-最大

3.2W (Ta), 50W (Tc)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

496pF @ 10V

功率-最大

10.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 5V

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