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STB16N90K5

STB16N90K5

僅供參考

型號 STB16N90K5
PNEDA編號 STB16N90K5
描述 N-CHANNEL 900 V, 0.21 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB16N90K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB16N90K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB16N90K5, STB16N90K5數據表 (總頁數: 20, 大小: 677.97 KB)
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STB16N90K5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ K5
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs330mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29.7nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1027pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 21A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3770pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

71mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

94A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

580nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13940pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

833W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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功耗(最大值)

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