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STB200NF04L-1

STB200NF04L-1

僅供參考

型號 STB200NF04L-1
PNEDA編號 STB200NF04L-1
描述 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB200NF04L-1資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB200NF04L-1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB200NF04L-1, STB200NF04L-1數據表 (總頁數: 12, 大小: 354.86 KB)
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STB200NF04L-1規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

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-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

455W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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