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STD10P10F6

STD10P10F6

僅供參考

型號 STD10P10F6
PNEDA編號 STD10P10F6
描述 MOSFET P-CH 100V 10A
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD10P10F6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD10P10F6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD10P10F6, STD10P10F6數據表 (總頁數: 15, 大小: 774.91 KB)
PDFSTD10P10F6數據表 封面
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STD10P10F6規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ F6
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds864pF @ 80V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

527pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-TSOP

包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

76mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.35nC @ 6V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

59.5W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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