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STD16N60M2

STD16N60M2

僅供參考

型號 STD16N60M2
PNEDA編號 STD16N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD16N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD16N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD16N60M2, STD16N60M2數據表 (總頁數: 16, 大小: 440.36 KB)
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STD16N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3545pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

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Vgs(th)(最大)@ ID

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