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STD3NK100Z

STD3NK100Z

僅供參考

型號 STD3NK100Z
PNEDA編號 STD3NK100Z
描述 MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD3NK100Z資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD3NK100Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STD3NK100Z規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds601pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 11.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

322nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 25V

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-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.1nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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