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STF21NM60N

STF21NM60N

僅供參考

型號 STF21NM60N
PNEDA編號 STF21NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF21NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF21NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF21NM60N, STF21NM60N數據表 (總頁數: 18, 大小: 564.83 KB)
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STF21NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 28W (Tc)

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

975pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

119mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3320pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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