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STF4LN80K5

STF4LN80K5

僅供參考

型號 STF4LN80K5
PNEDA編號 STF4LN80K5
描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 50,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF4LN80K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF4LN80K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF4LN80K5, STF4LN80K5數據表 (總頁數: 13, 大小: 714.88 KB)
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STF4LN80K5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ K5
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.7nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds122pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1425pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

ISO TO-247-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

370mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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