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STGB15M65DF2

STGB15M65DF2

僅供參考

型號 STGB15M65DF2
PNEDA編號 STGB15M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 12,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB15M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB15M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB15M65DF2, STGB15M65DF2數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,106.57 KB)
PDFSTGB15M65DF2數據表 封面
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STGB15M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 15A
功率-最大136W
開關能量90µJ (on), 450µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用45nC
25°C時的Td(開/關)24ns/93ns
測試條件400V, 15A, 12Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)142ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 16A

功率-最大

250W

開關能量

2.97mJ (on), 790µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

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電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 7A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

198nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/134ns

測試條件

400V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

47ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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測試條件

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