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STGF30M65DF2

STGF30M65DF2

僅供參考

型號 STGF30M65DF2
PNEDA編號 STGF30M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGF30M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGF30M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGF30M65DF2, STGF30M65DF2數據表 (總頁數: 16, 大小: 708.81 KB)
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STGF30M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大38W
開關能量300µJ (on), 960µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用80nC
25°C時的Td(開/關)31.6ns/115ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)140ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 20A

功率-最大

100W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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工作溫度

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安裝類型

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STMicroelectronics

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 60A

功率-最大

375W

開關能量

1.59mJ (on), 900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

306nC

25°C時的Td(開/關)

66ns/210ns

測試條件

400V, 60A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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