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STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

僅供參考

型號 STGWT80H65FB
PNEDA編號 STGWT80H65FB
描述 IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGWT80H65FB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGWT80H65FB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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STGWT80H65FB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)240A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 80A
功率-最大469W
開關能量2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用414nC
25°C時的Td(開/關)84ns/280ns
測試條件400V, 80A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

36A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

80W

開關能量

220µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/100ns

測試條件

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

-/145ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

430ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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Infineon Technologies

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

49A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 27A

功率-最大

160W

開關能量

950µJ (on), 2.01mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

63ns/230ns

測試條件

480V, 27A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

69A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 25A

功率-最大

417W

開關能量

500µJ (on), 438µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/70ns

測試條件

600V, 25A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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