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STP220N6F7

STP220N6F7

僅供參考

型號 STP220N6F7
PNEDA編號 STP220N6F7
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP220N6F7資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP220N6F7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP220N6F7, STP220N6F7數據表 (總頁數: 13, 大小: 555.3 KB)
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STP220N6F7規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ F7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)237W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7670pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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