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STP23NM50N

STP23NM50N

僅供參考

型號 STP23NM50N
PNEDA編號 STP23NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP23NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP23NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP23NM50N, STP23NM50N數據表 (總頁數: 21, 大小: 862.16 KB)
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STP23NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1330pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1710pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.39W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

282W (Tc)

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