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STPSC6H12B-TR1

STPSC6H12B-TR1

僅供參考

型號 STPSC6H12B-TR1
PNEDA編號 STPSC6H12B-TR1
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 6A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價
1 ---------- $27.5412
100 ---------- $26.2503
250 ---------- $24.9593
500 ---------- $23.6683
750 ---------- $22.5924
1,000 ---------- $21.5166
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STPSC6H12B-TR1資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STPSC6H12B-TR1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STPSC6H12B-TR1, STPSC6H12B-TR1數據表 (總頁數: 8, 大小: 261.97 KB)
PDFSTPSC6H12B-TR1數據表 封面
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STPSC6H12B-TR1規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 6A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 1200V
電容@ Vr,F330pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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1200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

750µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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